大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于咖啡路由器交换机的问题，于是小编就整理了2个相关介绍咖啡路由器交换机的解答，让我们一起看看吧。
交换机里有没有硬盘之类的存储设备？
交换机里没有硬盘，有存储芯片用于存储路由表，交换机里没有硬盘等大存储的设备，他只有一块存储芯片，用于存储路由表等参数，由于路由表的容量比较小，所以这块存储芯片只有几个兆。对于可网管交换机来说，它的存储芯片要达到上百个兆，因为有一部分参数需要存储
交换机里没有硬盘，智能交换机会有一块CF卡用来存储一些升级文件，或其它日志信息。从物理上来说，容易被偷或是被泼咖啡，信息安全上没啥，这样放着，估计你们也没Vlan或什么可隔离的吧。
50纳米芯片实现量产意味着什么？
在我国来说是很大的进步了，应该***奖励，企业推广，政策扶持。
罗马不是一天建成的，咱家刚三岁儿子也不可能比隔壁王阿姨家正在上大学的儿子更强壮，把他们放在一起去打架，咱家儿子就会天天被打哭，所以我们要把他保护起来，给他好吃好喝，让他茁壮成长，才能有朝一日去和隔壁王阿姨家儿子掰掰手腕。
不过我们面临这个儿子不知道长大成器不成器的问题，所以我们应该多养几个儿子，在国内同时扶植几个同产业竞争对手，促进有序竞争，共同发展。
这种芯片可以并不先进，但存储器而已，只要技术过关，质量可靠，大多数场合用几毫米的也都差不多，在国内搞政策优惠，用这个，给企业喂奶。
前面有回答搞错了，确实有国产50nm存储芯片量产，而不是5nm（真要量产5nm，就真的厉害了，台积电会表示佩服的）。这个消息（见下图）透露的技术信息，意味着国产存储芯片在低端市场有饭恰了，但要论对三星有啥影响，三星表示：你先看到我的背影再说哈！
后面说具体原因。
筛选新闻通稿，得到信息如下：
主打物联网市场，128MB的容量满足物联网设备问题不大，毕竟很多数据是不存储在设备上，应用于手机和安防监控，是指做成存储卡；
50nm的制造工艺，实话实说，在芯片界属于上古工艺，英特尔和美光的闪存实现50nm量产是在2007年。也就是说，合肥这家公司和国际先进存储器制造水平相差13年，代数上落后八九代；
目前国际比较先进的闪存制造工艺是10nm，三星在2013年就实现量产，现在最先进的闪存制造工艺大概是7nm。
国产闪存芯片和国际先进水平的闪存芯片的差距是，还看不到三星等国际巨头的背影！
当然，50nm闪存芯片量产的价值是，将来不用担心我们的5G和物联网在存储器上被卡脖子。
今日头条青云潜力新星，优质自媒体创作者，专业自媒体人士。很高兴回答这个问答，希望我的回答能够帮助到您！
50纳米芯片
50纳米芯片的量产对于人类来说已经没有多少意义了，但是对于某个公司来说可能是很大的进步，目前手机处理器芯片使用的是7纳米的制造工艺，接下来台积电将会推出5纳米制造工艺的芯片，并且订单已经几乎被苹果华为包场了，其他公司想要推出只有靠后了，浓缩的都是精华用在芯片制造商再贴切不过了
国产芯片任重道远
目前国产芯片制造处于中低端水平，高端芯片仍旧被欧美控制，要摆脱这种困境除了需要高端芯片的制造设备，而这些设备自己制造不出来又买不到，在这方面即使有人有钱也不是一下子能做出来的，别人也是千辛万苦花费巨额资金和人类物力开发出来的，所以想要从外面买到真的很难，相比在地面上盖房子，在一个比头发丝还细的光纤上盖房子难度更大
个人知识有限，难免有不到的地方。关注我 @科技咖啡吧 ,一起进步！
合肥成功研发了50nm 128M的高速低功耗NOR Flash芯片，主要面向物联网领域。这块芯片只有128M，与我们手机里动辄64GB、128GB的存储芯片有什么区别呢？NOR Flash有什么优势呢？知识点来了。
上图就是手机里常用的NAND Flash，以及物联网设备、BIOS经常***用的NOR Flash，相比来说NOR Flash单位成本远远高于NAND Flash。至于他们各自的电气原理，这里就不说了，很多人也不感兴趣，主要说说两者的共性和特性上。
①都是非易失存储介质，也就是说掉电后不会丢失内容。
②写入之前都要先擦除，然而两者的机制不同：NOR Flash的一个bit可以从1变成0，而从0变成1这要整块擦除；NAND Flash都需要擦除。
不同的类型的Flash，特性是不同的，也决定了应用场合不同，如下图所示▼。
简单来说，NOR相比NAND，读取速度更快，写入速度慢，支持XIP特性，可以直接执行二进制代码，价格更高。
感谢您的阅读！
【50nm NOR Flash芯片正式面世，我们何时有7nm EUV光刻机】
最新的消息，NOR Flash的市场规模在逐渐提升，而我国合肥恒烁半导体于近日推出第一款面向物联网应用的50nm 128Mb高速低功耗NOR Flash存储芯片，这款芯片尺寸为业界最小，并且拥有很强的成本和性能优势，对于迎接IoT时代有着深刻的意义。
NOR Flash的再次复苏得益于IoT市场，据了解这款恒烁50nm NOR Flash具有芯片尺寸小、功耗低、速度快、成本低等特点。因此，对于未来布局IoT时代颇有意义。
更为主要的是，这是在DRAM和NAND Flash储存芯片下，探索的又一条路。但是，我们很担忧的是，到底何时我们能够打破光刻机的束缚呢？
我们知道中芯虽然获得了一台荷兰ASML的7nm工艺的光刻机，可是它并非是EUV光刻机，而在我国目前在售的光刻机是上海微[_a***_]的90nm光刻机，随着这个设备主要用于8寸线以及12寸线的大规模工业生产，可是也不得不让我们担心，到底什么时候我们有自己不输于荷兰的光刻机。
这里我们要和大家聊的是一个重点的内容——
光刻机的束缚问题。我们知道这里有几个问题束缚了我们光刻机发展：
1.欧美国家技术的封锁。在《瓦森纳协议》的技术封锁下，尽管规定成员国自行决定是否发放敏感产品和技术的出口许可证，并在自愿基础上向“安排”其他成员国通报有关信息。但“安排”实际上完全受美国控制。所以，我们的技术，或者说像光刻机半导体的关键技术是被禁止出售给我们的。
2.光刻机的复杂程度以及技术难度。本来光刻机的技术就被垄断，而且数万零件都基本上被国外给封锁。特别是德国蔡司镜头，美国光源，以及它的股东Intel、台积电、三星等等技术的供给，这成就了ASML，也束缚了我们。
我们需要做的可能就是打破技术的封锁，另辟蹊径。据说，中科院制造出2纳米芯片，全称为垂直纳米环珊晶体管，如果像中科院等我国的技术研究能够突破这种束缚，我相信一定会有第一的可能。
到此，以上就是小编对于咖啡路由器交换机的问题就介绍到这了，希望介绍关于咖啡路由器交换机的2点解答对大家有用。
